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Samsung va booster la capacité de stockage de ses futurs smartphones grâce à une puce nouvelle génération
Des smartphones avec 512 Go de mémoire interne, c’est pour bientôt.
Alors que la demande est de plus en plus importante, le géant sud-coréen a annoncé avoir lancé la production d’une puce de stockage nouvelle génération Universal Flash Storage de 512 Go (UFS 2.1), de quoi offrir «une capacité de stockage inégalée et des performances exceptionnelles pour les futurs smartphones et tablettes» informe Samsung qui compte ainsi prendre l’ascendant sur Apple.
Pour l’heure les smartphones disposant de la mémoire interne la plus importante intègrent 256 Go, les terminaux Android disposent quant à eux d’une mémoire extensible via des cartes microSD.
En termes de performances avec ces puces V-NAND à 64 couches, «vous pouvez vous attendre à des vitesses de lecture et d’écriture séquentielles de 860 Mo / s et 255 Mo / s, respectivement. Cela signifie que vous n’avez besoin que d’environ six secondes pour transférer un clip vidéo HD sur un SSD», précise enfin Samsung. Reste à savoir si le Galaxy Note 9 et S9 en seront équipés.
Source :BGR